编号 | 设备列表 | 测试项目 | 国别厂家 | 型号 | 特色用途及参数 | |
1 | DXRD（摇摆曲线、双晶XRD） | 1. 摇摆曲线 | 英国 | Bede D1 | 适用于半导体外延片材料的测试，Si、GaAs、InP、GaN、Sapphire等的，theta-2theta扫描，联动扫描，摇摆曲线，phi扫描，RSM，mapping | |
2. 2theta扫描 | |
3. Phi扫描、RSM、Mapping | |
2 | AFM | 表面形貌 | 美国Veeco | D3100 | 表面粗糙度、表面形貌 | |
3 | SIMS | 表面SIMS谱 | 德国IONTOF | IONTOF IV | 半导体、芯片成分分析 | |
4 | XPS | 研究表面元素成分、化合价态 | 美国Thermal公司 | ESCALAB 250 Xi | 除了H、He以外所有元素种类及成分、化合价态的分析 | |
深度剖析 | 结合刻蚀，可以对材料纵深方向做分析 | |
5 | 拉曼光谱仪 | 鉴定物质结构、与成分分析、缺陷研究、掺杂和均匀性研究 | 英国 雷尼绍 | Renishaw inVia Plus | 光源514、633、785nm激光器，空间分辨率高，横向优于1um，纵向优于 2um，具有mapping功能 | |
6 | 紫外可见分光光度计 | 材料透射光谱 | 北京普析 | TU-1901 | 用于测试材料吸收谱，波长范围200nm~800nm。 | |
材料吸收光谱 | |
7 | PL（光致发光谱） | 室温PL | 美国PI公司 | SP-2500i | 激光器波长，325nm、405nm，可测量200~800 nm发光材料 | |
偏压PL | 日本KIMMON | 30mW | 偏振PL、偏压PL，（325nm、405nm激光器等） | |
低温、变温PL | 美国ARS | DE204SI | 低温、变温PL， | |
8 | TRPL（时间分辨光致发光光谱） | 室温TRPL | 英国EI | FLS920 | 室温TRPL（325nm、405nm激光器） | |
偏压PLE | PLE谱图（氙灯等） | |
低温、变温TRPL | 低温、变温TRPL ，可以测试量子产率 | |
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9 | 深紫外发光光谱测试设备 | 室温稳态 | 中国 |
| 1.PL谱激发波长：（1）177nm；（2）210nm-330nm可调；（3）345nm-495nm可调；（4）690nm-990nm可调。
2、CL谱电子束能量：0~30keV可调；
3、波长扫描范围：170nm-800nm；
4、温度范围：8-350K；
5、时间分辨率（瞬态光谱）：2ps | |
室温瞬态 | |
低温稳态 | |
| 低温瞬态 |
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10 | 椭偏仪 | 各种介质膜厚度及折射率 | 美国J.A.Woollam | M-2000 DI | 波长195~1680 nm；可放置6英寸，角度45~90连续可调节 | |
11 | SEM（扫描电镜） | 1.形貌分析 | 日立 | 日立S4800 | 冷场电镜，分辨率高；表面形貌、截面形貌， | |
2.成分分析 | |
12 | TEM | 透射形貌、成分分析 | 日本电子、FEI | JEOL 2010、F20 | 分辨率0.1 nm，电压200 kV | |
13 | FIB | 聚焦离子束芯片解剖、加工 | 美国FEI | Helios 650S | 半导体芯片解剖、加工、观察 | |
14 | FIB+TEM整包 | 透射样品制样+观察 | 美国FEI-FIB+F20 | Helios 650，FEI F20 | 包括FIB，透射切样，形貌、厚度、成分的观察 | |
15 | 台阶仪 | 测试样品台阶高度 | 美国科磊公司 | KLA-Tencor P-6 | 芯片加工过程中的监控、器件尺寸、台阶厚度 | |
16 | 霍尔效应 | 测试样品掺杂浓度 | 安捷伦 |
| 外延片掺杂浓度检测，适用于平板、单层薄膜 | |
17 | 四探针测试 | 测试薄膜电阻率、方块电阻等 | 国产 | RTS-8 | 测量范围：电阻率：10-4－105Ω电导率：10-5－104 s/cm 方块电阻：10-3－106Ω/ | |
18 | 低温强磁场物性测试系统（EMMS） | 可进行交直流电阻、微分电阻、霍尔效应和伏安特性等测量 |
| evercool-II | 样品腔尺寸：净内径为26 mm；基系统磁场强度：纵向磁体:±9 T；场均匀性：±0.01%
磁场分辨率:0.02 mT0；0.2 mT 1；最大测量电阻：4MΩ温度范围：1.9-400K | |
19 | GaN器件表征和可靠性，探针台和光电设备测试 |
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