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无锡英诺赛思科技有限公司

可靠性实验

可靠性实验
发表时间:2021-05-10     阅读次数:     字体:【

清华大学无锡应用技术研究院集成电路创新服务平台面向集成电路研发企业提供全套可靠性测试服务,内容包括:

(1)汽车电子可靠性groupA&B

(2)老化板设计制造(板材 : Hi-TG, Polyimide , FR4等。适用实验项目:HTOL、THB、HAST、H3TRB、HTGB、HTRB。完整的老化板解决方案:BIB Design ,Layout , SMT ,Debug)

(3)车规MCU芯片测试项目(SAT、PC、UHAST、TCT、HTST、HTOL、ELFR)

(4)车规汽车功放芯片测试项目(SAT、PC、UHAST、TCT、BLT、HTOL、ELFR、CA恒加速)

(5)预处理PRE-CON(所有SMD器件)

(6)高温老化寿命试验HTOL(CPU、FPGA、SOC 等大规模集成电路芯片)

(7)温度循环TCT(ES-76LM-R,-70℃~200℃)

(8)高加速应力测试HAST(uHAST & bHAST;130 ℃ , 85%RH, 33.3psia;110 ℃ , 85%RH, 17.7psia)

(9)恒温恒湿机(THB)(THB、THST、THCT、H3TRB、Soak、LTST、PTC:温度: -65℃~150℃;湿度:20%~98%RH)

(10)HTRB高温反偏老炼(符合国军标GJB128及美军标MIL-STD-750的相关要求,适用TO-254、TO-257、TO-258、SMD、F型、G型、B型、TO220、TO3P、TO92、片式、轴向、径向等各种封装分立器件,各种二极管、三极管、场效应管、可控硅、桥堆等等;以及MOS管的栅偏试验HTGB)

(11)H3TRB高温高湿反偏加速试验(符合JEDEC、MIL-STD-750D、GJB128A相关标准,适用各种功率半导体器件(二极管、三极管、达林顿管、MOSFET管、IGBT、可控硅、桥堆等);各种器件封装形式(轴向、径向、贴片式;F1/F2型、G1/G2/G3/G4型、B1/B2/B3/B4型等金属封装器件;SOD、SOT、SOIC8、TO-220、TO-3P、TO-92、TO-126、TO-247、TO-251/252、TO-263等塑封器件))

(12)OP-Life稳态功率老炼(符合国标GJB128和美军标MIL-STD-750相关标准,适用于中、小功率电子元器件稳态老炼试验和低频大功率器件的间歇寿命试验。适合F型、G型、B型、TO220、TO3P、TO92、片式、轴向、径向等各种封装的元器件常温老炼筛选和功率寿命试验。各种二极管(正向平均电流≤10A)包括整流二极管、开关管、稳压二极管、发光二极管、小信号二极管、肖特基二极管;各种大、中、小功率三极管(大功率三极管主要做间歇寿命试验);各类场效应管;各类可控硅;各类三端稳压集成器包括固定输出系列(78XX、79XX等)、可调输出系列(17、137)三端稳压器;各类光电耦合器;各类电阻器;其他系统能满足试验要求的电子元器件。)

(13)IOL间歇功率寿命试验(符合国军标GJB128和美军标MIL-STD-750相关标准,适用正向电流小于10A的电子元器件低频大功率器件的间歇寿命试验,适用F型、G型、B型、TO220、TO3P等各种封装的元器件)




 
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