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无锡英诺赛思科技有限公司

失效分析

失效分析
发表时间:2021-05-11     阅读次数:     字体:【


清华大学无锡应用技术研究院集成电路创新服务平台面向集成电路研发企业及高校科研院所提供失效分析服务,内容包括:

(1)测试机+12寸探针台Probe

电学特性,PAD电学测试定位失效位置,晶圆中测,成测

(2)超声波扫描SAT

检测内部空洞、气泡、空隙、裂纹、杂质颗粒、分层缺陷

(3)X射线XRAY

无损检测电子元器件内部芯片大小,芯片crack,banding情况(断线、搭线),焊锡球缺陷(冷焊、虚焊),点胶不均,

内部气泡等封装缺陷

(4)开封decap

化学开盖,激光开盖

(5)微光EMMI/OBIRCH

检测Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等

(6)研磨

定点/非定点研磨

(7)聚焦离子束FIB

芯片电路修改,生长测试PAD,定点切割截面分析cross section

(8)SEMEDS

材料形状、大小、粒径分布、表面/截面;薄膜样品表面形貌,截面形貌、厚度;定点成分分析,尺寸测量

(9)去层拍照

铝制程、铜制程

(10)反向网表提取、电路整理








 
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