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无锡英诺赛思科技有限公司

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四探针测试仪
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发布日期:2019-10-30
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咨询电话:13426445751
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详细介绍

仪器功能:用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)

技术参数

测量范围 电阻率:10-4~105 ΩNaN(可扩展)

电导率:10-5~104 s/cm;

电阻:10-4~105 Ω;

可测晶片直径 140mmX150mm;200mmX200mm;400mmX500mm;

分辨力:10μV;

输入阻抗:>1000MΩ;

精度:±0.1% ;

四探针探头基本指标 间距:1±0.01mm;

针间绝缘电阻:≥1000MΩ;

机械游移率:≤0.3%;

探针压力:5~16 牛顿(总力);

四探针探头应用参数 (见探头附带的合格证)

整机测量最大相对误差 (用硅标样片:0.01-180ΩNaN测试)≤±5%

整机测量标准不确定度 ≤5%

相对湿度:≤65%;

无高频干扰;无强光直射;


  • 地址:无锡市滨湖区建筑西路777号A3-101
  • 邮箱:test@tsinghua-wx.org
  • 联系人:徐宏博士 : 13426445751     钟磊:15600909562

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