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徐宏博士
13426445751
钟磊经理
15600909562
HQ-8B
反应室真空5×10－4Pa。
极限真空：5E-6 Torr。
载片台可加温100～450度。
沉积材料：SiO2、Si3N4、GeO2 可进行氘离子掺杂。
工艺温度：最高400℃。
样品尺寸：4英寸向下兼容。
淀积不均匀性：≤±5％。
等离子增强化学气相淀积设备是一种用于在基片上生成高质量SiNx和SiO2薄膜的专用设备。