微纳加工

ELS-F125电子束曝光

 

世界上第一个125kv光刻系统具有大的场写入均匀性和精细的图案写入能力,例如5nm或更小的线宽,这充分利用了我们多年来在开发光刻系统方面积累的丰富经验。

 

发射器 氧化锆/钨热场发射器

 

加速电压 125kv、75kv、25kv

 

最小束斑尺寸 φ1.7nm(@125kv)

 

最小线宽 5nm或更小(@125kv)

 

射束电流 5 pA to 100 nA

 

写场范围 Max3000umX3000um, Min100umX100um

 

波束定位 Max1000000 x 1000000(20bit DAC)

 

波束定位分辨率 Min0.1nm

 

最大样本大小 8" wafer or 8" square mask