电子束曝光_无锡英诺赛思科技有限公司

ELS-F125电子束曝光

世界上第一个125kv光刻系统具有大的场写入均匀性和精细的图案写入能力，例如5nm或更小的线宽，这充分利用了我们多年来在开发光刻系统方面积累的丰富经验。

发射器氧化锆/钨热场发射器

加速电压 125kv、75kv、25kv

最小束斑尺寸 φ1.7nm(@125kv)

最小线宽 5nm或更小(@125kv)

射束电流 5 pA to 100 nA

写场范围 Max3000umX3000um, Min100umX100um

波束定位 Max1000000 x 1000000(20bit DAC)

波束定位分辨率 Min0.1nm

最大样本大小 8" wafer or 8" square mask