清华大学无锡应用技术研究院集成电路创新服务平台
详细内容：
仪器功能：用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)
技术参数
测量范围 电阻率：10-4～105 ΩNaN(可扩展)
电导率：10-5～104 s/cm；
电阻：10-4～105 Ω；
可测晶片直径 140mmX150mm;200mmX200mm;400mmX500mm;
分辨力：10μV；
输入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
四探针探头基本指标 间距：1±0.01mm；
针间绝缘电阻：≥1000MΩ；
机械游移率：≤0.3%；
探针压力：5～16 牛顿(总力)；
四探针探头应用参数 (见探头附带的合格证)
整机测量最大相对误差 (用硅标样片：0.01-180ΩNaN测试)≤±5%
整机测量标准不确定度 ≤5%
相对湿度：≤65%；
无高频干扰；无强光直射；
X射线衍射分析仪
电感耦合等离子体质谱仪
流变仪
