场发射透射电子显微镜_无锡英诺赛思科技有限公司

型号：Talos F200X/FEI F20

关键词:TEM,透射,F200

产地：美国

详细内容：

性能指标：加速电压: 200 KV；电子枪：肖特基热场发射超亮电子枪； TEM点分辨率：0.25 nm； TEM信息分辨率: 0.12 nm； STEM分辨率: 0.16 nm；样品倾斜角度X/Y：±30°；能谱能量分辨率：136 ev; 元素检测范围：B～U元素。

主要应用：1. 对金属、陶瓷、半导体、塑料、纳米颗粒等各种材料进行超微结构观察； 2. 粉末、纳米颗粒形貌和粒径观察； 3. 选区电子衍射和晶体结构分析； 4. 配合能谱仪可对样品元素进行点、线、面分析；

测试项目：测试项目：电子衍射（SAED）、（高分辨）透射电镜成像（TEM/HR-TEM）；（高分辨）扫描透射电镜成像（STEM/HR-STEM）；X射线能谱分析和元素面分析（EDS，STEM-EDS mapping）

制样要求：粉末5mg，溶液0.5mL，可接受金属块体弱磁样品（含Fe、Co、Ni磁铁不吸）

收费标准：