清华大学无锡应用技术研究院集成电路创新服务平台
型号：Fei Helios Nanolab G3 UC
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主要参数：离子束分辨小于3nm@30KV
电子束分辨率: workspace<1nm@15KV ,样品XY方向移动范围不低于100mm，Z方向不低于50mm,可绕Z轴旋转，任意角度倾斜角T范围不小于-4到70度,换样时间低于3.5分钟。
用途及功能:扫描电镜主要用于观察、分析、记录样品的微观形貌，聚焦离子束用于样品微纳米尺度下的切割、刻蚀，能谱仪主要用于样品元素分析。
TEM透射样品制备：对于表面薄膜、涂层、粉末大颗粒，原位TEM芯片加工，晶界界面以及相界面等精准定位与加工TEM制样；
SEM/EDS剖面分析：可进行二次电子形貌分析且图像分辨率高、背散射电子衬度分析、EDS能谱分析；
EBSD电子背散射衍射分析：可进行晶体取向成像、显微织构、界面等分析，分析速度快，标定准确度高；
微纳结构加工：在微纳结构操作机械手、Omniprobe操作探针、离子束切割等的配合下，可以进行各种微纳结构的搬运、各种显微结构形状或图案的加工；
样品要求：块体小于20*20*5mm，越小越好，可以接受磁性样品，磁性最好做成5*5*1mm小薄片
收费标准：常规3500/样，磁性/超硬/金刚石4500/样
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