微纳加工

HQ-8B

 

反应室真空5×10-4Pa。

 

极限真空:5E-6 Torr。

 

载片台可加温100~450度。

 

沉积材料:SiO2、Si3N4、GeO2 可进行氘离子掺杂。

 

工艺温度:最高400℃。

 

样品尺寸:4英寸向下兼容。

 

淀积不均匀性:≤±5%。

 

等离子增强化学气相淀积设备是一种用于在基片上生成高质量SiNx和SiO2薄膜的专用设备。