微纳加工

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HQ-8B

 

反应室真空5×10－4Pa。

 

极限真空：5E-6 Torr。

 

载片台可加温100～450度。

 

沉积材料：SiO2、Si3N4、GeO2 可进行氘离子掺杂。

 

工艺温度：最高400℃。

 

样品尺寸：4英寸向下兼容。

 

淀积不均匀性：≤±5％。

 

等离子增强化学气相淀积设备是一种用于在基片上生成高质量SiNx和SiO2薄膜的专用设备。


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