清华大学无锡应用技术研究院集成电路创新服务平台
TFS200-106 ALD原子层沉积
技术参数：
原子层淀积，功率4kW，载气：N2；生长精度：0.1nm，反应温度：25~500C，样品尺寸：20-200mm，生长方式：热沉积/等离子体生长；热源2个，温度25~300C；冷源3个
主要功能及应用范围：
制备氧化物，如氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽等，制备氮化物，如氮化钛、氮化钽等
微纳电子学、纳米材料及相关器件等领域，可作为集成电路中MIM电容器涂层，防反射包覆层，多层结构光学电介质，有机发光显示器反湿涂层以及应用在太阳能电池和MEMS微机电系统等领域。
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