半导体外延检测

仪器功能:可测量多晶硅/单晶硅绒面表面单层(二层或多层)减反射膜、和玻璃/有机基底上的薄膜太阳能电池。

 

技术指标:光源:氙灯

光斑直径:1-3mm

入射角范围:20°到90°,5°/步

波长范围:350-850nm, 250-1100nm, 250-1700nm:0.002°~ 0.02°

波长精度:1nm

测量时间: < 8s (取决于测量模式和粗糙度)

样品尺寸: 125x125mm 156x156mm,200x200mm电池片, 其它尺寸

测量精度:0.02nm

折射率:0.0002, 100nmSiO2 on Si

厚度测量范围:0.01nm ~ 50um

消光比:10-6